3月19日，材料领域国际顶级期刊《自然·材料》，发表复旦大学修发贤团队最新研究论文，《外尔半金属砷化铌纳米带中的超高电导率》，制备出二维体系中具有目前已知最高导电率的外尔半金属材料-砷化铌纳米带。

　　导电材料是电子工业的基础，现在最主要的材料是铜，已大规模用于晶体管的互连导线。信息时代，计算机和智能设备体积越来越小，信号传输量爆炸式增长，芯片中上千万细如发丝的晶体管互连导线“运送压力”随之加大。而当铜变得很薄，进入二维尺度时，电阻变大，导电性迅速变差，功耗大幅度增加。这也是制约芯片等集成电路技术进一步发展的重要瓶颈。修发贤团队新研制的砷化铌纳米带材料，电导率是铜薄膜的一百倍，石墨烯的一千倍。

　　同时，区别于超导材料只能在零下几十度超低温下应用，新材料砷化铌的高电导机制即使在室温下仍然有效。这一发现也为材料科学寻找高性能导体提供了一个可行思路，在降低电子器件能耗等方面有重大价值。